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고품위 다이아몬드 박막의 증착과 박막 성장양식
Deposition of high Quality diamond Thin Film and the Film Growth Mode 원문보기

韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society, v.3 no.2, 1994년, pp.207 - 211  

김성훈 (삼성종합기술원 신소재연구실) ,  박영수 (삼성종합기술원 신소재연구실) ,  정상기 (삼성종합기술원 신소재연구실) ,  송세안 (삼성종합기술원 시험분석실) ,  윤석열 (삼성종합기술원) ,  이조원 (삼성종합기술원 신소재연구 실)

초록
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전체 압력을 변화시키면서 다이아몬드박막을 n형 Si(100) 기판 위에 마이크로 웨이브 화학기상 증착법으로 증착하였다. 높은 압력으로 (225 torr)증착된 박막은 낮은 압력(60 torr)의 박막보다 다이아몬 드 순수도가 향상되었으며 표면도 매끈한 {100}형상이 우세하였다. 다이아몬드 박막의 성장양식을 알아 보기 위하여 낮은 압력(600torr)과 높은 압력(225 torr)에서 증착된 박막의 미세구조를 투과전자현미경으 로 각각 분석하였다. 전체압력이 낮은 경우 박막과 기판의계면에는 a-SiC의 중간층이 형성되어 있는 것 을 확인하였으며 전체압력이 높은 경우의 박막은 evolutionary selection rule에 따라 성장하는 것으로 추론되었다.

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