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NTIS 바로가기電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A, v.31A no.1, 1994년, pp.39 - 47
조남홍 (한양대학교 전자공학과) , 곽계달 (한양대학교 전자공학과)
The drain current reduction effect due to the side-gating phenomena resulted from interaction between the neighbor gates is lead to degradation of circuit performance. In this paper, these effect were modelized for circuit simulation with the shift of threshold voltage resulting from negative charge...
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