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논문 상세정보
4단자 GaAs MESFET Model의 SPICE 탑재
Implementation of the Four-Terminal GaAs MESFET Model on SPICE
Abstract
The drain current reduction effect due to the side-gating phenomena resulted from interaction between the neighbor gates is lead to degradation of circuit performance. In this paper, these effect were modelized for circuit simulation with the shift of threshold voltage resulting from negative charge formation and the analysis of substrate leakage current resulting trapping effect. To remove dificiencies of the conventional three terminal structure, these model were implemented in SPICE with the four terminal structure, and then the constructed environment enables the simulation of circuit performance degradation resulted from side-gating effect. The validity of implemented model is proved by comparisoin with experiment data.
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이 논문을 인용한 문헌 (1)
- 2004. "Analytical Modeling for Dark and Photo Current Characteristics of Short Channel GaAs MESFETs" 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체, 41(3): 15~30
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