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논문 상세정보

SDB 웨이퍼를 사용한 쇼트키아이오드의 제작 및 특성

Fabrication and Characteristics of Schottky Diodes using the SDB(Silicon Direct Bonded) Wafer

Abstract

Schottky diodes have been fabricated using the SDB wafer, and their characteristics have been investigated. For comparison, conventional planar and etched most structure were made on the same substrate. The ideality factor and barrier height of the fabricated devices are found to be 1.03 and 0.77eV, respectively. Breakdown volttge of the etched mesa Schottky diode has been increased to 180V. whereas it is 90V for the planar diode. Schottky diode with an etched mesa exhibits twice improvement in breaktown voltage.

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