최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A, v.31A no.1, 1994년, pp.71 - 76
강병로 (아주대학교 전자공학과) , 윤석남 (아주대학교 전자공학과) , 최영호 (대우전자부품 Hybrid IC팀) , 최연익 (아주대학교 전자공학과)
Schottky diodes have been fabricated using the SDB wafer, and their characteristics have been investigated. For comparison, conventional planar and etched most structure were made on the same substrate. The ideality factor and barrier height of the fabricated devices are found to be 1.03 and 0.77eV,...
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.