최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A, v.31A no.7, 1994년, pp.76 - 84
이재진 (한국전자통신연구소 반도체연구단) , 이해권 (한국전자통신연구소 반도체연구단) , 맹성재 (한국전자통신연구소 반도체연구단) , 김보우 (한국전자통신연구소 반도체연구단) , 박형무 (한국전자통신연구소 반도체연구단) , 박신종 (한국전자통신연구소 반도체연구단)
The characteristics of 3 inch wafer scale GaAs epitaxial wafer grown by molecular beam epitaxy for LSI process application were studied. The thickness and doping uniformity are characterized and discussed. The growth temperature and growth rate were
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.