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NTIS 바로가기電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A, v.31A no.12, 1994년, pp.56 - 63
허준 (아주대학교 전자공학과) , 임한조 (아주대학교 전자공학과) , 김충환 (전자통신연구소 화합물개발실) , 한일기 (한국과학기술원 정보전자 연구부 광전자연구실) , 이정일 (한국과학기술원 정보전자 연구부 광전자연구실) , 강광남 (한국과학기술원 정보전자 연구부 광전자연구실)
The effects of sulfur treatments on the barrier heithts of Schottky contacts and the interface-state density of metal-insulator-semiconductor (MIS) capacitors on InP have been investigated. Schottky contacts were formed by the evaporation of Al, Au, and Pt on n-InP substrate before and after (NH
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