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NTIS 바로가기電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A, v.33A no.3, 1996년, pp.96 - 106
민병혁 (서울대학교 공과대학 전기공학과) , 박철민 (서울대학교 공과대학 전기공학과) , 한민구 (서울대학교 공과대학 전기공학과)
One of the major problems for poly-Si TFTs is the large off state leakage current. LDD (lightly doped drain) and offset gated structures have been employed in order to reduce the leakage current. However, these structures also redcue the oN current significantly due to the extra series resistance ca...
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