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NTIS 바로가기한국광학회지 = Korean journal of optics and photonics, v.7 no.4, 1996년, pp.375 - 385
하홍춘 (한국해양대학교 전자통신공학과) , 오수환 (한국해양대학교 전자통신공학과) , 이석정 (한국해양대학교 전자통신공학과) , 박윤호 (한국해양대학교 전자통신공학과) , 오종환 (한국해양대학교 전자통신공학과) , 홍창희 (한국해양대학교 전자통신공학과)
본 연구에서는 InGaAsP/InP RWG MQW-LD를 제작하기 앞서 이론해석으로부터 RWG MQW-LD의 도파로규격에 따른 측방향 유효굴절율차와 index-guided LD로 동작하는 임계 유효굴절율차의 값, 그리고 이러한 굴절율차에 따른 측방향에서의 단일모드 발진조건과 임계전류를 최소로 하기 위한 ridge 폭을 구하여 도파로를 설계하였다. 이론해석으로 부터는 순수한 index-guided LD로 동작하기 위한 측방향 임계 유효굴절율차 값은 일반적인 bulk층 보다는 약 2배 정도 큰 값인 약 0.015이었으며 도파로 설계에 있어서는 유효굴절율차가 0.015이며 측방향단일모드로 동작하기 위해서는 ridge 폭은 약 4.mu.m이하가 되어야 함을 알 수 있었다. 그리고 이때 임계전류값이 최소가 됨을 지적하였다.
Recently interest in the fabrication of LD operated by low current is gradually increasing as fabrication techniques of MQW-LD are progressed. In this viewpoint, theoretical estimation for decreasing the amount of threshold current will be helpful to design and make LD in case that active layer of c...
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