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HWE 방법에 의한 ZnSe/GaAs(100)의 성장과 특성
Growth and characterization of ZnSe/GaAs(100) by hot-wall technique 원문보기

한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology, v.6 no.1, 1996년, pp.56 - 61  

전경남 (전북대학교 물리학과) ,  고석룡 (전북대학교 물리학과) ,  이경준 (전북대학교 물리학과) ,  정원기 (전주대학교 물리학과) ,  두하영 (정읍공업전문대학 안경공학과) ,  이춘호 (전북대학교 물리학과)

초록
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두 개의 증발료가 설치된 hot wall epitaxy 장치를 제작하고 GaAs 기판위에 undoped ZnSe 박막을 성장하였다. 기판온도 $350^{\circ}C$, 원료부의 온도 $660^{\circ}C$ 근방에서 성장된 경 연박막의 XRD 측정값은 175 $sec^{-1}$의 반치폭을 냐타내 였다. Photoluminescence 측정 결과 neu t tral acceptor bound exciton emission line이 강하게 얻어지는 양질의 박막을 성장하였다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

A hot wall epitaxy (HWE) apparatus with double source tubes was manufactured. This apparatus can be used to grow two kinds of epilayers at the same time or to grow heterostructures and multilayers. Undoped ZnSe single crystal films were grown on GaAs(100) substrates byusing this apparatus. SEM, XRD ...

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