$\require{mediawiki-texvc}$
  • 검색어에 아래의 연산자를 사용하시면 더 정확한 검색결과를 얻을 수 있습니다.
  • 검색연산자
검색연산자 기능 검색시 예
() 우선순위가 가장 높은 연산자 예1) (나노 (기계 | machine))
공백 두 개의 검색어(식)을 모두 포함하고 있는 문서 검색 예1) (나노 기계)
예2) 나노 장영실
| 두 개의 검색어(식) 중 하나 이상 포함하고 있는 문서 검색 예1) (줄기세포 | 면역)
예2) 줄기세포 | 장영실
! NOT 이후에 있는 검색어가 포함된 문서는 제외 예1) (황금 !백금)
예2) !image
* 검색어의 *란에 0개 이상의 임의의 문자가 포함된 문서 검색 예) semi*
"" 따옴표 내의 구문과 완전히 일치하는 문서만 검색 예) "Transform and Quantization"
쳇봇 이모티콘
안녕하세요!
ScienceON 챗봇입니다.
궁금한 것은 저에게 물어봐주세요.

논문 상세정보

제곱근 회로를 이용한 온도와 공급 전압에 둔감한 CMOS 정전류원

A temperature and supply insensitive CMOS current reference using a square root circuit

Abstract

A new temperature and supply-insensitive CMOS current reference circuit was designed and tested. Te temperature insensuitivity was achieved by eliminating the mobility dependence term through the multiplication of two current components, one which is proportional to mobility and the other which is inversely proportional to mobility, by using a newly designed CMOS square root circuit. The CMOS sqare root circuit was derived from its bipolar counterpart by operating the MOS transistors in the subthreshold region. The supply insensitivity was achieved by using an internal voltage generator. Te test chip was designed ans sent out for fabrication by using a 2.mu.m double-poly double-metal n-well CMOS technology. When an external voltage source was used for the square root circuit, the maximum variation and the average temperature sensitivity were measured to be 3% and 21.4ppm/.deg.C, respectively, for the temperature range of -15~130.deg.C. The maximum current variation with supply voltage was measured to be 3% within the commerical supply voltage range of 4.5~5.5V at 30.deg. C.

저자의 다른 논문

참고문헌 (0)

  1. 이 논문의 참고문헌 없음

이 논문을 인용한 문헌 (0)

  1. 이 논문을 인용한 문헌 없음

원문보기

원문 PDF 다운로드

  • ScienceON :

원문 URL 링크

원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다. (원문복사서비스 안내 바로 가기)

상세조회 0건 원문조회 0건

DOI 인용 스타일