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NTIS 바로가기電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D, v.34D no.5, 1997년, pp.32 - 44
손명식 (중앙대학교 전자공학과 반도체 공정,소자 연구실) , 황호정 (중앙대학교 전자공학과 반도체 공정,소자 연구실)
A three-dimensional (3D) full-dynamic damage model for ion implantation in crystalline silicon was proposed to calculate more accurately point defect distributions and ion-implanted concentration profiles during ion implantation process. The developed model was based on the physical monte carlo appr...
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