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반도체 레이저에 의해 펌핑되는 Cr:LiSAF 레이저의 연속 발진 특성
The CW lasing characteristics of a Cr:LiSAF laser pumped by semiconductor lasers 원문보기

한국광학회지 = Korean journal of optics and photonics, v.8 no.1, 1997년, pp.47 - 51  

윤장한 (배재대학교 물리학과) ,  박종대 (배재대학교 물리학과) ,  조창호 (배재대학교 물리학과) ,  이재형 (서울대학교 물리학과) ,  장준성 (서울대학교 물리학과)

초록
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반도체 레이저에 의해 펌핑되는 Cr:LiSAF 레이저를 제작하였다. 펌핑 레이저는 고출력의 반도체 레이저 (SDL 7432-H1)였으며, 674 nm에서 최대출력은 500 mW이었다. 레이저 결정은 plano-Brewster모양의 Cr:LiSAF으로 Cr$^{3+}$ 의 농도가 3%, 길이가 3 mm, 결정의 평면인 면은 펌프레이저를 최대로 투과하고, 800-880 nm 대역에서 최대 반사율을 갖도록 코팅된 것을 사용하였다. 결정에 의한 비점수차를 보정하기 위해 V자형 공진기를 사용하였다. 펌핑 레이저의 출력이 290 nW일 때 Cr:LiSAF 레이저의 출력은 19.4 mW이었다. 광축의 각이 큰 복굴절 필터를 사용하여 레이저 파장을 840-880 nm파장 범위에서 가변할 수 있었으며, 복굴절 필터의 특성은 이론과 잘 일치하였다.

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A Cr:LiSAF laser pumped by semiconductor lasers was constructed. The pumping laser was a high-power semiconductor laser (SDL 7432-H1) of wavelength 674 nm and maximum power of 500 mW. The laser crystal was a Cr:LiSAF of plano-Brewster shape with 3% Cr3+ion concentration and 3 mm in length. The plane...

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