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논문 상세정보

Luminescence Properties of $Dy^{3+}-(or Tm^{3+}-)$ Doped $Ga_2O_3$ and $ZnGa_2O_4$ Phosphors

The Korean journal of ceramics v.3 no.2 , 1997년, pp.134 - 138  
Abstract

$Dy^{3+}-(or Tm^{3+}-)$ doped $Ga_2O_3 \;and\; ZnGa_2O_4$ phosphors were prepared using the solid state reaction method to investigate their photoluminescent characteristics. Under 254 nm excitation, $Dy^{3+}-doped Ga2_O_3$ exhibited two emission bands of 460~505nm and 570~600nm. On the other hand, $Dy^{3+}-(or Tm^{3+}-)$ doped $ZnGa_2O_4 $phosphors exhibited a broad-band emission extending from 330 nm to 610 nm, peaking at about 430 nm(or 370 nm). In this study, an emission peak shift of nealy 50 nm towards longer wavelength region was observed with $Dy^{3+}$ doping in the $ZnGa_2O_4 $.

저자의 다른 논문

참고문헌 (11)

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이 논문을 인용한 문헌 (1)

  1. Park, In-Yong ; Lee, Jong-Won ; Kim, Seon-Tai 2002. "Preparation of Ga2O3:Eu3+ Phosphor by Pechini Method" 한국재료학회지 = Korean journal of materials research, 12(7): 517~521 

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