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RTCVD법을 이용한 Si(111)기판 위에 3C-SiC(111) 박막의 성장 및 분석
Growth and Analyses of 3C-SiC(111)Thin Films on Si(111)Substrate Using Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition 원문보기

한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.7 no.6, 1997년, pp.472 - 478  

서영훈 (전북대학교 화학공학부) ,  남기석 (전북대학교 화학공학부) ,  황용규 (원광대학교 물리학과) ,  서은경 (전북대학교 반도체 물성 연구소) ,  이형재 (전북대학교 물리기술학부 반도체 물성 연구소)

초록
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TMS(tetramethysilane, Si(CH$_{3}$)$_{4}$)를 이용하여 RTCVD(rapid thermal chemical vapor deposition)장치에서 Si(111) 기판 위에 $\beta$-SiC(111)를 성장시켰다. 실험변수로는 반응온도, TMS유량, 반응시간, H$_{2}$유량을 변화시켰으며, XRD, IR, SEM, RBS, TEM등을 이용하여 성장된 박막을 분석하였다. 성장된 박막은 crystallized Si, C또한 Si-H, C-H결합은 관찰할 수 없었으나 다결정이었다. TMS의 유량이 증가함에 따라, 성장온도가 감소함에 따라서 미려한 박막을 성장시킬 수 있었으며, 반응의 활성화에너지는 20kcal/molㆍK이었다.

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