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RF Magnetron Sputtering 법으로 제조된 AIN 박막에 관한 연구
A study on the AIN thin films fabricated by RF magnetron sputtering 원문보기

韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society, v.6 no.1, 1997년, pp.44 - 49  

남창길 (울산대학교 재료공학과) ,  최승우 (울산대학교 재료공학과) ,  천희곤 (울산대학교 재료공학과) ,  조동율 (울산대학교 재료공학과)

초록
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반응성 RF 스퍼터링 장치에 반응성 질소와 작업가스 아르곤을 동시에 주입하면서 Al을 스퍼터링하여 AIN박막을 형성하였다. polycarbonate기판이나 이 디스크 표면 위의 micron크기의 pregroove형태의 손상이 일어나지 않을 정도의 저온의 저온을 유지키 위하여 플라즈마(plasma) 자체 온도($100^{\circ}C$이하)로 가열하면서 silicon과 glass기판 위에 AIN박막을 증착시켰다. 여러 증착변수 변화에 따른 박막의 결정성, 단면형상 및 굴절율 변화 등을 분석 하였다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

AIN thin films were deposited on silicon and glass substrates by sputtering Al target and introducing mixed gases of argon and nitrogen into reactive RF magnetron sputter. The substrate was not heated to protect the PC (polycarbonate) substrate and the micro-sized pregroove morphology on the surface...

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