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Ti/SiC(4H) 쇼트키 장벽 다이오드의 전기적 특성
The electrical properties of a Ti/SiC(4H) sehottky diode 원문보기

한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology, v.7 no.3, 1997년, pp.487 - 493  

박국상 (단국대학교 물리학과) ,  김정윤 (단국대학교 물리학과) ,  이기암 (단국대학교 물리학과) ,  장성주 (동신대학교 물리학과)

초록
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SiC(4H) 결정에 Ti을 열증착하여 Ti/SiC(4H) 쇼트키(Schottky) 장벽 다이오드를 만들었다. SiC(4H)의 주개농도(donor concentration)는 전기용량-전압(C-V) 측정으로부터 $2.0{\times}10^{15}{\textrm}{cm}^{-3}$이었으며, 내부전위(built-in potential)는 0.65 V이었다. 전류-전압(I-V) 특성으로 부터 다이오드의 이상계수(ideally factor)는 1.07이었으며, 역방향 항복전장(breakdown field)은 약 $1.7{\times}10^3V/{\textrm}{cm}$이었다. 상온에서 $140^{\circ}C$까지 온도변화에 따라 측정된 포화전류로 부터 구한 전위장벽(potential barrier)은 0.91 V이었는데, 이는 C-V 특성으로 부터 구한 전위장벽과 거의 같았다.

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Ti/sic(4H) Schottky barrier diodes were fabricated. The donor concentration and the built-in potential obtained by capacitance-voltage(C-V) measurement was about $2.0{\times}10^{15}{\textrm}{cm}^{-3}$ and 0.65 V, respectively. The ideality factor of 1.07 was obtained from the slope of cur...

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