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NTIS 바로가기한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology, v.8 no.2, 1998년, pp.233 - 239
양원재 (한양대학교 무기재료공학과) , 김성진 (삼성종합기술원) , 정용선 (한양대학교 세라믹소재연구소) , 오근호 (한양대학교 무기재료공학과)
SiC thin films were deposited by chemical vapor deposition method using tetramethylsilane (TMS) and hexamethyldisilane (HMDS). The chamber pressure during the deposition was kept at about 1 torr. Precursor was transported to the reaction chamber by
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