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HF 세정후 자연 산화막의 존재가 티타늄 실리사이드 형성에 미치는 영향
The Effect of Native Oxide on the $TiSi_{2}$ Transformation after HF Cleaning 원문보기

한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.8 no.5, 1998년, pp.464 - 469  

배종욱 (한국과학기술원 재료공학과) ,  현영철 (전자통신연구원 반도체연구단) ,  유현규 (전자통신연구원 반도체연구단) ,  이정용 (한국과학기술원 재료공학과) ,  남기수 (전자통신연구원 반도체연구단)

초록
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HF 세정후 자연 산화막의 존재가 급속 열처리 장비를 이용, 아르곤 분위기에서 열처리할 때 티타늄 실리사이드 형성을 관찰하였다. 고분해능 단면 투과 전자 현미경 관찰 결과 기판 온도가 상온일 때 자연산화막(native oxide)이 존재함을 확인하였으며 기판 온도가 40$0^{\circ}C$일 때는 실리콘 기판과 티타늄 박막의 계면 부위에서 자연산화막, 티타늄 및 실리콘이 혼합된 비정질층이 존재함을 확인하였다. 티타늄을 증착하는 동안 기판 온도를 40$0^{\circ}C$로 유지했을 때는 C54~$TiSi_2$상이 형성되는데 요구되는 급속 열처리(Rapid Thermal Annealing : RTA)온도가 기판 온도를 상오느로 유지 했을 때보다 $100^{\circ}C$정도 감소함을 확인하였다. 이 같은 결과는 산소불순물을 함유한 비정질 층이 핵생성 자리를 제공하여 이 상의 형성이 촉진된다는 사실을 말한다. 기판온도 $400^{\circ}C$에서 형성된 티타늄 실리사이드막의 경우 비저항 $\mu$$\Omega$cm임을 확인하였다.

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