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NTIS 바로가기電子工學會誌 = The journal of Korea Institute of Electronics Engineers, v.25 no.7 = no.170, 1998년, pp.53 - 63
유인경 (삼성종합기술원 전자재료 Lab.)
This paper reviews development trends of ferroelectric memories. Materials requirements, integration issues, device structures are reviewed for 1T-1C and 1Tr type FRAM. Other types of FRAM such as DSRAM and SFRAM are also described. Limitations in FRAM development are discussed for the viewpoint of...
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