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PVD 방법에 의한 $TiN/TiSi_2$-bilayer 형성
Formation of $TiN/TiSi_2$-bilayer by PVD method 원문보기

한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.8 no.12, 1998년, pp.1182 - 1189  

최치규 (제주대학교 물리학과) ,  강민성 (제주대학교 물리학과) ,  김덕수 (제주대학교 화학과) ,  이광만 (제주대학교 전자공학과) ,  황찬용 (한국표준과학원 소재특성평가센터부) ,  서경수 (한국전자통신연구원 반도체연구단) ,  이정용 (한국과학기술원 전자재료공학과) ,  김건호 (경상대학교 물리학과)

초록
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Si 기판을 실온과 $600^{\circ}C$로 유지하면서 동시 증착 방법으로 (Ti+2Si)를 증착한 후 $N_2$ 분위기에서 Ti를 증발시켜 TiN($300\AA$)/(Ti+2Si, $300\AA$)/Si(100) 구조의 시료를 제작한 다음 초고진공에서 in-situ로 열처리하여 양질의 $TiN/TiSi_2$-bilayer를 형성하였다 열처리 온도가 $700^{\circ}C$ 이상에서 (111) texture 구조를 가지면서 화학 양론적으로 $Ti_{0.5}N_{0.5}$인 박막과 C54-$TiSi_2$박막이 형성되었다. $TiN/C54-TiSi_2/Si$ (100)구조의 계면은 응집 현상이 없이 평활하였으며, $C54-TiSi_2$상은 에피택셜 성장되었다. $TiN/TiSi_2$-이중구조막의 면저항은 열처리 온도에 따라 감소하였으며, $700^{\circ}C$ 이상의 열처리 온도에서는 면저항 값이 $2.5\omega/\textrm{cm}^2$ 였다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

High quality $TiN/TiSi_2$-bilayers were formed on the Si(100) substrate at room temperature and at $600^{\circ}C$ first by coevaporation of stoichiometric Si and Ti(Si:Ti = 2:1) fellowed by Ti reactive deposition in N, gas ambient, and in situ annealing in ultrahigh vacuum. Sto...

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