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Pd-SiC 쇼트키 다이오드의 수소 가스 감응 특성
Hydrogen Gas Sensing Characteristics of Pd-SiC Schottky Diode 원문보기

센서학회지 = Journal of the Korean Sensors Society, v.8 no.6, 1999년, pp.448 - 453  

김창교 (순천향대학교 전기전자공학부) ,  이주헌 (순천향대학교 전기전자공학부) ,  이영환 (순천향대학교 전기전자공학부) ,  최석민 (순천향대학교 전기전자공학부) ,  조남인 (선문대학교 전자공학과)

초록
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Pd-SiC 쇼트키 다이오드를 이용한 수소 가스 센서를 개발하였다. Pd-SiC 쇼트키 다이오드의 수소 가스 감지특성을 I-V 및 ${\Delta}I$-t 분석을 통하여 수소 농도와 온도 함수로서 분석하였다. 또한, 수소 흡착에 의한 Pd-SiC 쇼트키 다이오드의 장벽 높이의 변화를 조사하였다. 수소 원자의 흡착이 다이오드의 장벽 높이의 변화와 관계되는 것을 I-V 분석을 이용하여 정상 상태에서의 가스 반응 속도론에 의하여 확인하였다.

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A Pd-SiC Schottky diode for detection of hydrogen gas operating at high temperature was explored. Hydrogen-sensing behaviors of Pd-SiC Schottky diode were analyzed as a function of hydrogen concentration and temperature by I-V and ${\Delta}I$-t methods under steady-state and transient con...

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