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NTIS 바로가기전력전자학회 논문지 = The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics, v.4 no.2, 1999년, pp.152 - 158
장동렬 (동한전자 근무) , 서영민 (단국대 공대 대학원 전기공학과 졸업(석사)) , 홍순찬 (단국대 공대 전기공학과 교수. 당 학회 감사) , 윤덕용 (천안공업대학 제어계측과) , 황용하 (이화전기공업(주) 부설연구소 소장(상무))
Due to high power ratings and low conduction loss, the TGBT has become more attractive in switching power supplies. However, its lower turn-on and turn-off characteristics than those of MOSFET cause severe switching loss and s switching frequency limitation. This paper proposes 2.4kW. 48V. high effi...
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