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문제 정의
- modulation doped field effect transistor (MODFET), heterojunction bipolar transistor (HBT) 등의 트랜지스터의 제작이 가능한 단계에 이르렀다. 본 논문에서는 GaN 반도체를 이용한 광전소자 및 천자소자로의 응용과 연구방향에 대해서 기술하고자 한다.
- 진행되고 있다. 즉, 자외선 혹은 청색 GaN 발광다이오드와 광변환효율이 큰 형광체를 이용하여 백색 발광다이 오드를개발하려는 것이다. 현채 개발되어 있는 가장 고효율의 GaN 백색 발광다이오드의 경우 효율이 15 hn/W에 달한다.
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