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증착조건 및 열처리조건에 따른 $ZrO_2$박막의 미세구조와 전기적 특성에 관한 연구
A study of the microstructures and electrical properties of $ZrO_2$ thin film on Si(100) 원문보기

韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society, v.9 no.4, 2000년, pp.341 - 345  

유정호 (연세대학교 세라믹공학과) ,  남석우 (연세대학교 세라믹공학과) ,  고대홍 (연세대학교 세라믹공학과) ,  오상호 (포항공대 재료공학과) ,  박찬경 (포항공대 재료공학과)

초록
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p형 Si (100)기판 위에 reactive DC magnetron sputtering으로 증착한 $ZrO_2$박막에 대하여 증착 조건과 열처리 조건에 따른 미세구조의 변화 및 전기적 특성 변화를 관찰하였다. 증착 및 열처리 온도가 증가하고 power 증가할수록 $ZrO_2$의 굴절율은 증가되어 이상적인 2.0~2.2에 근접하였다. 상온에서 증착된 $ZrO_2$ 박막은 비정질이며 $300^{\circ}C$에서 증착한 경우 $ZrO_2$박막은 다결정이었다. 산소 분위기에서 열처리를 수행한 박막의 RMS 값은 증착직후보다 높아지고 계면 산화막은 산소의 확산에 의해 두께가 증가하였다. A1/$ZrO_2$/p-type Si(100)의 C-V과 I-V 특성을 관찰하였고, 그 결과 산소분위기에서 열처리하는 경우 계면 산화막의 두께증가로 Cmax 및 누설전류가 감소함을 알 수 있었다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

We investigated the microstructures and the electrical properties of $ZrO_2$thin films deposited by reactive DC magnetron sputtering on (100) Si with different deposition conditions and annealing treatments. The refractive index of the $ZrO_2$ thin films increased with annealin...

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