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ALE 법에 의한 TiN 박막의 증착 및 특성
Deposition and Characteristics of TiN Thin Films by Atomic Layer Epitaxy
원문보기
電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체, v.37 no.6 = no.276, 2000년, pp.43 - 49
김동진 (慶北大學校 電子電氣工學部) , 정영배 (慶北大學校 電子電氣工學部) , 이명복 (慶北大學校 電子電氣工學部) , 이정희 (慶北大學校 電子電氣工學部) , 이용현 (慶北大學校 電子電氣工學部) , 함성호 (慶北大學校 센서 技術 硏究所) , 이종화 (피케이株式會社 포토마스크 事業附屬 硏究所)
초록
ALE(atomic layer epitaxy)법을 이용하여 (100)면의 Si 기판위에 TiN 박막을 증착하였다. 증착된 TiN 박막을 XRD, 4-point probe, AFM, AES, SEM등의 장비를 사용하여 분석하였다. ALE법에 의한 TiN의 증착을 위한 반응 전구체(precusor)로는 TEMAT(tetrakis (ethylmethylamino)titanium)와 반응 가스로는 $NH_3$ 를 사용하였다. 표면 포화반응을 형성하기 위해 각 반응 기체는 TEMAT-$N_2-NH_3-N_2$ 의 순서로 교대로 반응로에 주입하였다. 그 결과 TiN 박막은 150 ~ 220 $^{\circ)C$ 에서 자기 제어 성장(self-limiting growth) 기구에 의한 박막 증착 특성을 보였다. 증착된 TiN 박막은 증착율이 4.5 ${\AA}$ / cycle로 일정하였고, 비정질 (amorphous)의 구조를 보였다. 박막의 저항율과 표면 평균 거칠기는 210~230${\mu}{\Omega}{\cdot}$ cm와 7.9~9.3${\AA}$ 로 측정되었다. TiN 박막을 2000 ${\AA}$ 의 두께로 증착하였을 때, 폭이 0.43${\mu}$ m이고 단차비 (aspect ratio)가 6인 트렌치 구조에서 매우 우수한 단차피복성을 보였다.
Abstract
AI-Helper
The TiN thin films were deposited by ALE(atomic layer epitaxy) on (100) silicon substrate. The TiN thin films were characterized by means of XRD, 4-point probe, AFM, AES and SEM. TEMAT(terakis(ethyl methy lamino)titanium) and
참고문헌 (14)
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저자의 다른 논문 :
- [본원] 대전광역시 유성구 대학로 245 한국과학기술정보연구원
- [분원] 서울시 동대문구 회기로 66 한국과학기술정보연구원
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