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비대칭 펄스 직류 반응성 스퍼터링으로 증착된 AlN 박막의 성장 거동
Growing Behavior of AlN Thin Film Deposited by Asymmetric Bipolar Pulsed DC Reactive Sputtering 원문보기

한국세라믹학회지 = Journal of the Korean Ceramic Society, v.38 no.1 = no.224, 2001년, pp.61 - 67  

김주형 (한국과학기술연구원 박막기술연구센터, 한양대학교 재료공학과) ,  이전국 (한국과학기술연구원 박막기술연구센터) ,  안진호 (한양대학교 재료공학과)

초록
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비대칭 펄스 직류 반응성 스퍼터링을 이용하여 상온에서 Si(100) 기판 위에 AlN 박막을 증착하였다. 100 kHz에서 200 kHz까지 펄스 주파수의 변화 및 70%에서 90%까지 duty cycle의 변화에 따른 아크 발생과 AlN 박막의 결정성 그리고 미세 조직을 관찰하였다. Duty cycle에서 양의 펄스 유지 시간이 증가함에 따라 증착 중에 아크 발생 빈도가 현저히 감소하였고 AlN 박막의 입자 크기와 결정상의 c축 배향성이 증가하였다. 반면에 펄스 주파수 변화에 따른 아크 발생은 일정한 경향을 나타내지 않았지만 전반적으로 많은 아크가 발생했다. 아크 발생 빈도가 늘어남에 따라 c축 배향성이 감소하였다. 양의 펄스 유지 시간과 펄스 주파수가 감소함에 따라 박막의 증착 속도는 증가하였으며 440$\AA$/min의 높은 증착 속도를 나타냈다.

주제어

#AlN   #Pulsed dc   #Arc   #Duty cycle Pulse frequency  

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