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PTC 세라믹 입계의 전위장벽 측정
Determination of Potential Barrier Heights at the Grain Boundaries of PTC Ceramics 원문보기

한국세라믹학회지 = Journal of the Korean Ceramic Society, v.38 no.7 = no.230, 2001년, pp.639 - 642  

조성걸 (경상대학교 전기전자공학부 항공기부품기술연구소) ,  이영근 (경상대학교 세라믹공학과)

초록
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전형적인 비저항-온도 특성을 갖는 BaTiO$_3$계 PTC 세라믹을 일반적인 세라믹 공정을 이용하여 제조하였고, 결정립계면에 형성된 전위장벽의 높이를 구하였다. ZnO 바리스터의 전위장벽을 구하기 위해 이용되었던 커패시턴스-전압 관계식과는 다른 새로운 관계식을 제안하였고, 기존의 비저항-온도 관계식을 다소 변경한 관계식을 이용하여 전위장벽을 구하였다. 두 관계식으로부터 구한 전위장벽의 높이는 매우 유사한 값을 보이고 있으며 타 연구자들에 의해 보고된 값과도 잘 일치하고 있다. 비저항-온도 관계식과 커패시턴스-전압 관계식을 이용하여 130-18$0^{\circ}C$ 구간에서 구한 전위장벽의 크기는 각각 0.41-0.76V와 0.36-0.80V이었다.

주제어

#PTC ceramic   #Potential barrier height   #Capacitance-voltage relation   #Resistivity-temperature relation  

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