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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.14 no.1, 2001년, pp.1 - 5
서용진 (대불대학교 전기전자공학부) , 정헌상 (조선대학교 전기공학과) , 김상용 (아남반도체 FAB 사업부) , 이우선 (조선대학교 전기공학과) , 이강현 (조선대학교 전자정보통신공학부) , 장의구 (중앙대학교 전자전기제어공학부)
STI(shallow trench isolation)-CMP(chemical mechanical polishing) process have been substituted for LOCOS(local oxidation of silicon) process to obtain global planarization in the below sub-0.5㎛ technology. However TI-CMP process, especially TI-CMP with RIE(reactive ion etching) etch back process, ha...
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