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[국내논문] W-TiN 복층 전극 소자에서 TiN 박막 형성 조건에 따른 특성 분석
Characteristics of W-TiN Gate Electrode Depending on the Formation of TiN Thin Film 원문보기

韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society, v.10 no.2, 2001년, pp.189 - 193  

윤선필 (성균관대학교 전기전자 및 컴퓨터공학부) ,  노관종 (성균관대학교 전기전자 및 컴퓨터공학부) ,  양성우 (성균관대학교 전기전자 및 컴퓨터공학부) ,  노용한 (성균관대학교 재료공학과) ,  김기수 (성균관대학교 재료공학과) ,  장영철 (성균관대학교 재료공학과) ,  이내응 (성균관대학교 재료공학과)

초록
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TiN을 불소의 확산 방지막으로 사용한 W-TiN 복층 게이트 소자의 물리적.전기적 특성 변화를 살펴보았다. TiN 스퍼터링 증착시 $N_2$/Ar 가스 비율이 증가할수록 TiN 박막은 N-과다막이 되어 비저항이 증가하였으나, W-TiN복층 구조에서는 $N_2$/Ar가스 비율이 증가할수록 상부 텅스텐 박막의 결정화가 증가하여 비저항이 감소하였다. 한편, 같은 $N_2$/Ar 비율의 경우, TiN 박막 열처리 온도 변화(600~$800^{\circ}C$)에 무관하게 W(110) 방향으로 우선 배향된 결정 구조를 보였다. 누설 전류 특성은 TiN증착시 $N_2$/Ar 비율 변화에 무관하게 우수하였으며, TiN을 확산 방지막으로 사용함으로서 순수 텅스텐 전극만을 적용시 나타나는 초기 저전계 누설 특성을 향상시킬 수 있음을 확인하였다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

We have characterized physical and electrical properties of W-TiN stacked gate electrode structure with TiN as a diffusion barrier of fluorine. As the $N_2/Ar$ gas ratio increased during sputter deposition, TiN thin films became N-rich, and the resistivity of the films increased. However,...

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