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NTIS 바로가기韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society, v.10 no.4, 2001년, pp.403 - 410
이정환 (경북대학교 전자 전기 컴퓨터 공학부) , 박병남 (경북대학교 전자 전기 컴퓨터 공학부) , 최시영 (경북대학교 전자 전기 컴퓨터 공학부)
Acceleration in integration density and speed performance of ULSI circuits require miniaturization of CMOS and interconnections as well as higher current density capabilities for transistors. A leading candidate to substitute Al-alloy is Cu, which has lower resistivity and higher melting point. So w...
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