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파장가변 티타늄 사파이어 레이저로 펌핑하는 연속발진 Nd:YVO4/KTP 레이저의 출력 특성
Output power characteristics of a CW Nd:YVO4/KTP laser pumped by a tunable Ti:Sapphire laser 원문보기

한국광학회지 = Korean journal of optics and photonics, v.13 no.2, 2002년, pp.140 - 145  

추한태 (금오공과대학교 자연과학부) ,  안범수 (금오공과대학교 자연과학부) ,  김규욱 (금오공과대학교 자연과학부) ,  이치원 (공주대학교 영상정보공학부)

초록
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선폭 0.2nm인 파장가변 티타늄 사파이어 레이저를 펌핑 레이저로 사용하여 펌핑 레이저의 5편광(E┴$\pi$)과 P-편광(E∥$\pi$) 그리고 파장 변화 등에 따라 두께 1 mm인 Nd:YVO$_4$결정의 흡수율 및 연속 발진 Nd:YVO$_4$/KTP 레이저의 출력 특성을 측정하였다. 그 결과 S-편광 및 P-편광 펌핑 레이저의 파장에 따른 Nd:YVO$_4$결정의 최대 흡수율은 각각 809.4 nm일 때 82% 및 808.8 nm일 때 98%로 측정되었으며, 기본파인 Nd:YVO$_4$레이저(1064 nm) 출력의 기울기 효율은 각각 43% 및 52%로 측정되어 1000 mW 출력의 P-편광 펌핑 레이저에 대하여 최대 516 mW의 Nd:YVO$_4$레이저 출력을 얻을 수 있었다. 또한 P-편광 펌핑 레이저에 대한 내부공진기 진동수 배가된 제2고조파 Nd:YVO$_4$/KTP 녹색 레이저(532 nm)출력 기울기 효율은 23%로 측정되었으며 1000 mW 펌핑 출력에 대하여 빔질 파라메터 M$^2$=1.42인 최대 205 mW의 출력을 얻을 수 있었다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

We measured the absorption rate of a Nd:YVO$_4$crystal with a thickness of 1 mm and the output power characteristics of a cw Nd:YVO$_4$/KTP laser with respect to the change of wavelength and the polarizations of a tunable Ti:sapphire pump laser with a linewidth of 0.2 nm. In th...

주제어

AI 본문요약
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제안 방법

  • 따라서, 결정의 자른 방향(a-cut 및 c-cut)과 Nd* 도핑율 및 펌핑 레이저의 편광 방향과 파장에 따라 민감하게 출력 변동이 나타나게 된다. 따라서, 본 실험에서도 선폭 0.2 nm인 파장가변 티타늄 사파이어 레이저를 펌핑 레이저로 사용하여 펌핑 레이저의 S편광(Eㅗ兀)과 P-편광(EII K)그리고 파장 변화 등에 따라 두께 1 mm 인 Nd:YVO4 결정의 흡수율을 비롯하여 기본파인 연속 발진 Nd:YVO4 레이저(1064 nm)와 비선형 결정인 KTP를 이용하여 내부공진기 진동수 배가시킨 제2고조파 Nd:YVO/KTP 녹색 레이저(532 nm)의 출력 특성 등에 대하여 조사하였다.
  • 2 nm인 파장가변 티타늄 사파이어 레이저를 펌핑 레 이저로 사용하여 펌핑 레이저의 S-편광(E丄π)과 P-편광(EIIπ) 그리고 파장 변화 등에 따라 두께 1 mm인 Nd:YVO4 결정의 흡수율과 기본파인 연속 발진 Nd:YVO4 레이저(1064 nm)의 출력 특성을 측정하였다. 또한 비선형 결정인 KTP를 이용하여 내부공진기 진동수 배가시킨 제2고조파 Nd:YVO4/KTP 녹색 레이저(532nm)의 출력 특성에 대하여 조사하였다. 그 결과 입사 펌핑 레이저의 편광 방향 및 파장에 대한 Nd:YVO4 결정의 최대 흡수율은 S-편광인 경우는 809.
  • 선폭 0.2 nm인 파장가변 티타늄 사파이어 레이저를 펌핑 레 이저로 사용하여 펌핑 레이저의 S-편광(E丄π)과 P-편광(EIIπ) 그리고 파장 변화 등에 따라 두께 1 mm인 Nd:YVO4 결정의 흡수율과 기본파인 연속 발진 Nd:YVO4 레이저(1064 nm)의 출력 특성을 측정하였다. 또한 비선형 결정인 KTP를 이용하여 내부공진기 진동수 배가시킨 제2고조파 Nd:YVO4/KTP 녹색 레이저(532nm)의 출력 특성에 대하여 조사하였다.
  • )은 곡률 반경이 100mm이고 1064nm에서의 반사율 R = 98%인 오목 거울을 사용하였으며, 크기가 3X3X5 mn?인 제2종 위상 정합 KTP 결정(Castech 제품)을 이용한 제2고조파 출력 거울은 1064 nm에서 고반사하고 532nm에서 고투과하는 곡률 반경 125 mm의 오목 거울을 각각 사용하였다. 이때 기본파 및 제2고조파 출력은 각각 1064 nm 및 532 nm 필터 (F)를 통과한 후 출력 측정기 (P.M.)로 측정하였다.

대상 데이터

  • 이때, 결정의 한쪽 면은 곡률이 없는 평면으로 펌핑 레이저 파장인 808nm에서 고투과(R<5%)하고 레이저 발진 파장인 1064 nm 및 532nm에서 고반사(R>99%) 되도록 하여 공진기의 평면 전반사 거울로 사용하였고, 다른 한쪽 면은 1064 nm에서 무반사 코팅하고 열전 냉각기 (thermal electric cooler)를 이용하여 항상 일정한 온도를 유지시켜 출력 효율 및 안정성을 높였다. 기본파의 출력 거울(O.C.)은 곡률 반경이 100mm이고 1064nm에서의 반사율 R = 98%인 오목 거울을 사용하였으며, 크기가 3X3X5 mn?인 제2종 위상 정합 KTP 결정(Castech 제품)을 이용한 제2고조파 출력 거울은 1064 nm에서 고반사하고 532nm에서 고투과하는 곡률 반경 125 mm의 오목 거울을 각각 사용하였다. 이때 기본파 및 제2고조파 출력은 각각 1064 nm 및 532 nm 필터 (F)를 통과한 후 출력 측정기 (P.
  • 실험에 사용된 티타늄 사파이어 레이저는 자체 제작한 레이저로 735 nm~925 nm 영역에서 선폭이 0.2 nm이'고 900 mW 이상의 출력을 갖으며 편광 희전기 (polarization rotator, P.R.)를 이용하여 편광을 조정한 후 초점거리 50mm인 볼록 렌즈(L)를 통해 단면의 넓이 3X3 mm2, 두께가 1 mm이고 Nd3+ 이온 도핑 농도가 1.0 atm.%인 Nd:YV04 결정 (a-cut, Castech 제품)으로 집속된다.
  • C.)은 곡률 반경이 100mm이고 1064nm에서의 반사율 R = 98%인 오목 거울을 사용하였으며, 크기가 3X3X5 mn?인 제2종 위상 정합 KTP 결정(Castech 제품)을 이용한 제2고조파 출력 거울은 1064 nm에서 고반사하고 532nm에서 고투과하는 곡률 반경 125 mm의 오목 거울을 각각 사용하였다. 이때 기본파 및 제2고조파 출력은 각각 1064 nm 및 532 nm 필터 (F)를 통과한 후 출력 측정기 (P.
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참고문헌 (13)

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  9. Chen, Y.F.. Passive Q-switching of an intracavity frequency doubled diode-pumped Nd:YVO4/KTP green laser with Cr4+:YAG. IEEE photonics technology letters : a publication of the IEEE Laser and Electro-optics Society, vol.9, no.11, 1481-1483.

  10. 10.1364/OL.25.001442 

  11. Kintz, G.J., Baer, T.. Single-frequency operation in solid-state laser materials with short absorption depths. IEEE journal of quantum electronics, vol.26, no.9, 1457-1459.

  12. Smith, R.. Theory of intracavity optical second-harmonic generation. IEEE journal of quantum electronics, vol.6, no.4, 215-223.

  13. Alfrey, A.J.. Modeling of longitudinally pumped CW Ti:sapphire laser oscillators. IEEE journal of quantum electronics, vol.25, no.4, 760-766.

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