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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.15 no.11, 2002년, pp.969 - 975
오재영 (고려대학교 금속공학과) , 김동환 (고려대학교 금속공학과) , 박정호 (고려대학교 전기공학과) , 박원규
Thin film transistors(TFT) were made based on the polycrystalline Si (poly-Si) crystallized by sequential lateral solidification(SLS) method. The electrical characteristics of the devices were analyzed. n-type TFTs did not show a superior characteristics compared to p-type TFTs. We analyzed the caus...
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Sera, K., Okumura, F., Uchida, H., Itoh, S., Kaneko, S., Hotta, K.. High-performance TFTs fabricated by XeCl excimer laser annealing of hydrogenated amorphous-silicon film. IEEE transactions on electron devices, vol.36, no.12, 2868-2872.
Crowder, M.A., Carey, P.G., Smith, P.M., Sposili, R.S., Cho, H.S., Im, J.S.. Low-temperature single-crystal Si TFTs fabricated on Si films processed via sequential lateral solidification. IEEE electron device letters : a publication of the IEEE Electron Devices Society, vol.19, no.8, 306-308.
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Chiou, Bi-Shiou, Wu, King-Long. Effect of reactive ion etching and post-etching annealing on the electrical characteristics of indium-tin oxide/silicon junctions. Journal of materials science. Materials in electronics, vol.9, no.2, 151-157.
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