반도체 소자의 기판 재료로 사용되고 있는 실리콘 웨이퍼는 그 정밀도가 매우 중요하다. 본 연구에서는 균일한 Dopant농도 분포를 얻을 수 있는 중성자 변환 Doping을 이용하여 실리콘에 인(P)을 Doping하는 연구를 수행하였다. 본 연구에서는 하나로 원자로를 이용하여 고저항(1000∼2000Ωcm) FZ실리콘 웨이퍼에 중성자 조사하여 저항의 변화를 관찰하였고, 중성자 조사시 발생하는 점결함을 분석하여 점결함이 저항 변화에 미치는 영향을 알아보았다. 중성자 조사 전 이론적 계산에 의해 HTS조사공은 5Ωcm, 20.1Ωcm이고 IP3조사공은 5Ωcm, 26.5Ωcm, 32.5Ωcm이었고, 중성자 조사 후 SRP로 측정한 결과 실제 저항값은 HTS-1 2.10Ωcm, HTS-2 7.21Ωcm이었고. IP-1은 1.79Ωcm, IP-2는 6.83Ωcm, 마지막으로 IP-3는 9.23Ωcm이었다. DLTS측정 결과 IP조사공에서 새로운 피크의 결함을 발견할 수 있었다. 또한 중성자 조사후의 저항변화는 열중성자량에 의존하며 조사공의 종류와는 무관하다.
반도체 소자의 기판 재료로 사용되고 있는 실리콘 웨이퍼는 그 정밀도가 매우 중요하다. 본 연구에서는 균일한 Dopant농도 분포를 얻을 수 있는 중성자 변환 Doping을 이용하여 실리콘에 인(P)을 Doping하는 연구를 수행하였다. 본 연구에서는 하나로 원자로를 이용하여 고저항(1000∼2000Ωcm) FZ실리콘 웨이퍼에 중성자 조사하여 저항의 변화를 관찰하였고, 중성자 조사시 발생하는 점결함을 분석하여 점결함이 저항 변화에 미치는 영향을 알아보았다. 중성자 조사 전 이론적 계산에 의해 HTS조사공은 5Ωcm, 20.1Ωcm이고 IP3조사공은 5Ωcm, 26.5Ωcm, 32.5Ωcm이었고, 중성자 조사 후 SRP로 측정한 결과 실제 저항값은 HTS-1 2.10Ωcm, HTS-2 7.21Ωcm이었고. IP-1은 1.79Ωcm, IP-2는 6.83Ωcm, 마지막으로 IP-3는 9.23Ωcm이었다. DLTS측정 결과 IP조사공에서 새로운 피크의 결함을 발견할 수 있었다. 또한 중성자 조사후의 저항변화는 열중성자량에 의존하며 조사공의 종류와는 무관하다.
Silicon wafer is very important accuracy make use semiconductor device substrate. In this research, for the uniformity dopant density distribution obtained to Neutron Transmutation Doping on make use Si in P Doping study work. In this research. we irradiated neutron on FZ silicon wafers which had hi...
Silicon wafer is very important accuracy make use semiconductor device substrate. In this research, for the uniformity dopant density distribution obtained to Neutron Transmutation Doping on make use Si in P Doping study work. In this research. we irradiated neutron on FZ silicon wafers which had high resistivity (1000~2000 ${\Omega}$cm), HANARO reactor was utilized resistivity changes due to observed, the generation of neutron irradiation on point defect analyzed, point defect on resistivity changes inquire into the effect. Before neutron irradiation theoretical due to calculated 5 ${\Omega}$-cm, 20.1 ${\Omega}$-cm for HTS hole and 5 ${\Omega}$-cm, 26.5 ${\Omega}$-cm, 32.5 ${\Omega}$-cm for IP3 hole. After neutron irradiation through SRP measurement the designed resistivities were approached, which were 2.1 H-cm for HTS-1, 7.21 ${\Omega}$-cm for HTS-2, 1.79 ${\Omega}$-cm for IP-1, 6.83 ${\Omega}$-cm for IP-2, 9.23 ${\Omega}$-cm for IP-3, respectively. Also after neutron irradiation resistivity changes due to thermal neutron dependent irradiation hole types free.
Silicon wafer is very important accuracy make use semiconductor device substrate. In this research, for the uniformity dopant density distribution obtained to Neutron Transmutation Doping on make use Si in P Doping study work. In this research. we irradiated neutron on FZ silicon wafers which had high resistivity (1000~2000 ${\Omega}$cm), HANARO reactor was utilized resistivity changes due to observed, the generation of neutron irradiation on point defect analyzed, point defect on resistivity changes inquire into the effect. Before neutron irradiation theoretical due to calculated 5 ${\Omega}$-cm, 20.1 ${\Omega}$-cm for HTS hole and 5 ${\Omega}$-cm, 26.5 ${\Omega}$-cm, 32.5 ${\Omega}$-cm for IP3 hole. After neutron irradiation through SRP measurement the designed resistivities were approached, which were 2.1 H-cm for HTS-1, 7.21 ${\Omega}$-cm for HTS-2, 1.79 ${\Omega}$-cm for IP-1, 6.83 ${\Omega}$-cm for IP-2, 9.23 ${\Omega}$-cm for IP-3, respectively. Also after neutron irradiation resistivity changes due to thermal neutron dependent irradiation hole types free.
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문제 정의
본 연구는 HANARO 원자를 이용한 NTD 실리콘 웨이퍼의 생산 가능성을 확인하고 문제점들을 도출함으로써 향후 HANARO 원자로를 이용한 NTD 실리콘 웨이퍼의 대량생산 가능성에 대한 예비 연구를 수행하여 기술 자료를 확보하려 했다.
본 연구를 통하여 중성자 조사에 의한 인 농도의 분포와 점결함의 영향을 분석할 수 있었다. 중성자 조사 후 시편의 저항이 계획된 저항값 보다 낮게 나타났다.
제안 방법
얻기 위해 800。(2에서 1시간 Annealing 처리하였다. 이렇게 Annealing 중성자 처리된 시편을 SRP를 이용하여 저항을 측정하였고, 점결함의 정량적 측정을 위하여 Schottky diode를 제작하여 DLTS 측정을 하였다.
따라서 반도체 소자의 오작동 및 Break-down을 일으킬 수 있다. 본 연구에서는 DLTS(Deep Level Transient Spectroscopy)를 이용하여 결함이 실리콘 웨이퍼에 미치는 영향과 종류 및 양을 관찰하려 하였디' 또한 미세 저항 분포를 확인할 수 있는 SRP(Spreading Resistance Probe) 측정을 통해 중성자 조사후의 저항 분포를 확인하였다.
5 Qcm이었다. 실제로 중성자 조사 후 저항의 감소 정도와 시편의 저항이 얼마나 이론값 과 일치하는지를 확인하기 위하여 SRP로 시편의 저항을 측정하여 보았다. 본 연구에서는 점결함외 형테 및 양을 분석하여 E.
이렇게 Annealing 중성자 처리된 시편을 SRP를 이용하여 저항을 측정하였고, 점결함의 정량적 측정을 위하여 Schottky diode를 제작하여 DLTS 측정을 하였다. 위의 SRP측정과 DLTS 측정은 포항 RIST와 LG- silitron의 협조를 얻어 수행되었다.
이렇게 준비된 시편은 하나로 원자로 HTS 조사공과 IP 조사공에서 5 Qcm와 20Qcm 그리고 30 Qcm의 저항을 얻기 위해식 ⑴과 식 (2)를 이용하여 각 시편의 조사 시간을 계산하였다. 이 계산값을 기준으로 하여 HTS 조사공 시편은 26시간 83시간 중성자를 조사하였고, IP 조시 공에서 13시간 3.2시간 그리고 2.0시간 중성자를 조사하였다. 앞으로 편의상 HTS 조사공에서 26시간 조사된 시편을 HTS-1, 8.
이렇게 Annealing 중성자 처리된 시편을 SRP를 이용하여 저항을 측정하였고, 점결함의 정량적 측정을 위하여 Schottky diode를 제작하여 DLTS 측정을 하였다. 위의 SRP측정과 DLTS 측정은 포항 RIST와 LG- silitron의 협조를 얻어 수행되었다.
성능/효과
23Qcm이었다一 Table 1은 저항 분석에 대한 실험결과를 종합한 것이디-. 실제 확보된 저항은 계신치와 상이함을 알 수 있었다. 이 같은 문제점은 사용된 각 조사공외 고속중성자/열중성자의 비 Table 2 차이로 인한 결과라 사료된다.
952E17 n/cn?이었다. 이 결과로부터 이론적 저항값을 계산하여 보면 HTS 조사공은 5Qcm, 20.1 Qcm°] 고, IP 조사공은 5Qcm, 26.5 Qcm, 32.5 Qcm이었다. 실제로 중성자 조사 후 저항의 감소 정도와 시편의 저항이 얼마나 이론값 과 일치하는지를 확인하기 위하여 SRP로 시편의 저항을 측정하여 보았다.
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