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문제 정의
- 본 논문에서는 main gate와 두 개의 side gate를 갖는 DG MOSFET 구조에 대한 특성을 조사하였다. side gate는 SCE를 억압시키기 위해 사용되어 졌다.
- 본 논문에서는 두 개의 side gate를 갖는 DG MOSFET에 대해 조사하였다. 본 논문에서 사용된 소자의 구조는 그림 1에 나타내었다.
- 본 논문에서는 소자의 특성을 분석하기 위해 문턱 전압의 변화를 고찰하였다. 많은 문턱 전압 추출 방법이 제시되고 연구되어 졌는데 본 논문에서는 드레인 전류 축을 로그 크기로 변환하여 나타낸 그래프에서 최대 기울기와 최소 기울기를 갖는 곳의 접선들이 만나는 X점의 전압을 구하는 SDL(second derivative of the logarithm of drain current) 방법을 사용하여 문턱 전압을 추출하였다【5-7].
- 이런 문제들을 해결하기 위해 본 논문에서는 main gate와 side gate를 갖는 double gate(DG) MOSFET 구조를 조사하였다. 이때 너무 긴 side gate는 저항의증가로 인해 소자의 특성을 감쇠시키고 너무 짧은 side gate는 SCE 억압에 대한 효과가 작아 지게 된다.
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