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문제 정의
- 본 논문에서는 고에너지 양성자 차폐계산을 위한 근사계산방법을 개발하였으며, 그 결과를 상세계 산결과와 비 교하였다. 표 4에서는 상세 계산결과와 sectoring method를 적용한 결과, chord-length 분포를 사용하여 계산한 결과 그리고, 실측치를 비교하였다.
- 따라서 근사모델이 개발되어 사용되어 왔다. 본 논문에서는 근사계산 방법의 하나인 sectoring method와 chord-length 분포를 이용하는 근사계산모델을 개발하고, 상세계산 결과와 비교하여 개발된 계산방법의 사용 가능성을 평가하고자 한다.
- 하더라도 확실하지 않은 물질의 자료에 의해 계산오차를 유발할 수 있다. 본 논문의 목적은 근사계산 방법의 효과를 평가하는 것이므로 그림 3와 같이 비교적 간단하게 유사한 형태의 모델에 대하여 계산을 수행하였다. RADFET-1은 위성체의 모듈박스의 외벽가까이에 위치하며, RADFET-3은 중심부에 위치한다.
- 같은 계산을 LCS(LAHET Code System)를 사용하여 수행하였으나(Prael & Lichtenstein 1989), MCNP-X와는 달리 source 사용조건의 제한과 컴퓨터 메모리의 문제로 인해 신뢰성을 갖는 결과를 얻을 수 없었다. 본 연구에서는 MCNP-X의 계산결과를 근사계산 결과의 기준 자료로 사용하고자 한다.
가설 설정
- 입사입자의 발생 위치는 구의 표면상에서 random 함수를 사용하여 무작위로 추출되며, 각각의 입자에 대하여 계산된 차폐체의 두께는 그림 6과 같은 분포를 갖도록 계산되어진다. Sectoring method의 경우와 마찬가지로, 입사입자와 생성된 이차입자는 입사입자의 진행방향으로 차폐체 내에서 직진하는 것으로 가정된다. 그림 6에서는 구의 표면에서 임의로 추출된 1,000, 000개의 위치로부터 계산된 차폐체의 두께(0.
- 이때 입사양성자와 차폐체와의 충돌에 의한 입사방향의 편향은 없으며, 차폐체와 입사 양성자와의 반응에 의해 생성되는 이차입자 또한 입사방향으로 진행하는 것으로 가정하였다. 실제의 경우, 고에너지 입자는 매질내에서 직진한다는 가정이 타당하지만, 저에너지의 양성자의 경우 매질과의 충돌에 의해 어느 정도의 편향성을 가진다.
- RADFET-1은 위성체의 모듈박스의 외벽가까이에 위치하며, RADFET-3은 중심부에 위치한다. 차폐계산은 위성체내에서 다른 위치에 있는 2개의 Total Ionizing Dose 계측기 위치에 대하여 dose가 평가되었으며, 구조물은 알루미늄과 에폭시만으로 구성되어 있다고 가정하였다
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