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산화된 다공질 실리콘 기판 위에 제작된 에어브리지를 가진 CPW Phase Shifter와 Shunt Stub
CPW Phase Shifter and Shunt Stub with Air-Bridge Fabricated on Oxidized Porous Silicon(OPS) Substrate 원문보기

電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체, v.39 no.9 = no.303, 2002년, pp.11 - 18  

심준환 (韓國海洋大學校 電波情報通信工學部) ,  박동국 (韓國海洋大學校 電波情報通信工學部) ,  강인호 (韓國海洋大學校 電波情報通信工學部) ,  권재우 (慶北大學校 電子電氣컴퓨터工學部) ,  박정용 (慶北大學校 電子電氣컴퓨터工學部) ,  이종현 (慶北大學校 電子電氣컴퓨터工學部) ,  전중성 (韓國海洋大學校 産業技術硏究所) ,  예병덕 (韓國海洋大學校 海事輸送科學部)

초록
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본 논문에서는 표면 마이크로머시닝을 사용하여 10 ${\mu}m$ 두께의 다공질 실리콘 산화막으로 제조된 기판 위에 에어브리지를 가진 CPW phase shifter와 shunt stub을 제작하였다. CPW phase shifter의 크기는 S-W-$S_g$ = 100-30-400 ${\mu}m$로 설계되었다. “ㄷ” 모양을 가진 에오브리지의 폭은 100 ${\mu}m$, 길이는 400-460-400 ${\mu{m$ 이다. 낮은 손실을 얻기 위하여, step 된 에어브리지를 가진 CPW phase shifter가 제안되었다. Step된 에어브리지를 가진 구조가 step이 없는 에어브리지를 가진 구조보다 삽입손실이 보다 더 향상되었다. 제작된 CPW phase shifter의 위상특성은 28 GHz의 넓은 주파수 범위에서 180$^{\circ}$ 의 천이를 나타내었다. 그리고 short-end series stub의 동작주파수는 28.7 GHz이며, 반사손실은 - 20 dB를 나타내었다. 또한 short-end shunt stub의 동작주파수는 28.9 GHz이며, 반사손실은 - 23 dB를 나타내었다. 이상의 결과에서 중앙 전송선에 설계된 stub은 크기 감소로 고 밀도 칩 레이아웃을 이끌 수 있는 장범을 가진다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

This paper presents a CPW phase shifter and shunt stub with air-bridge on a 10-${\mu}m$-thick oxidized porous silicon(OPS) substrate using surface micromachining. The line dimensions of the CPW phase shifter was designed with S-W-Sg = 100-30-400 ${\mu}m$. And the width and leng...

참고문헌 (12)

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