최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문, v.52 no.1, 2003년, pp.6 - 11
손주호 (전북대학교 전기공학과) , 최석우 (전북대학교 전자정보공학부) , 김동용 (전북대학교 전자정보공학부)
The multi layer spiral inductors, which enhance the quality factor Q of an inductor fabricated on the silicon substrate, has been designed using a TSMC CMOS 0.2sum 1-poly 5-metal layer technology. To investigate the performance of the designed inductors, a 2.5-dimensional field simulation tool(Momen...
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
John R. Long and Miles A. Copeland, 'The Modeling, Characterization, and Design of Monolithic Inductors for Silicon RF IC's,' IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 32, no. 3, pp. 357-368, Mar. 1997
Min Park, Seonghearn Lee, Hyun Kyu Yu, Jin Gun Koo and Kee Soo Nam, 'High Q CMOS-Compatible Microwave Inductors Using Double-Metal Interconnection Silicon Technology,' IEEE Microwave and Guided Wave Letters, vol. 7, no. 2, pp. 45-47, Feb. 1997
Joachim N. Burghartz, Keith A. Jenkins and Mehmet Soyuer, 'Multilevel-Spiral Inductors Using VLSI Interconnect Technology,' IEEE Electron Device Letters, vol. 17, no. 9, pp 428-430, Sep. 1996
M. Soyuer, J. N. Burghartz, K A. Jenkins, S. Ponnapalli, J. F. Ewen and W. E. Pence, 'Multilevel monolithic inductors in silicon technology,' ELECTRONICS LETTERS, vol, 31, no. 5, pp. 359-360, Mar. 1995
G. W. Dahlmann and E. M. Yeatman, 'High Q microwave inductors on silicon by surface tension self-assembly,' ELECTRONICS LETTERS, vol. 36, no. 20, pp. 1707-1708, Sep, 2000
조현묵, '실리콘 IC에서 정사각-나선형 인덕터의 컴퓨터를 이용한 설계,' 공주대학교 생산기술연구소 논문집, 제4권, pp. 119-127, 1996
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.