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Liquid-Crystal-on-Silicon 소자에서 액정의 프리틸트각에 따른 Disclination Line 발생
Generation of Disclination Line Dependent on Liquid Crystal's Pretilt Angle in Liquid-Crystal-on-Silicon Devices 원문보기

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.16 no.4, 2003년, pp.322 - 329  

정태봉 (전북대학교 신소재공학부) ,  오세태 (클라이언트 연구개발부) ,  이승희 (전북대학교 신소재공학부)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

We have studied how surface pretilt angle affects generation of disclination line in liquid-crystal-on silicon cells for 45$^{\circ}$-twisted nematic (TN) and vertical alignment (VA) modes with pixel size of 15$\mu\textrm{m}$. Our studies show that when the pretilt angle is inc...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 논문에서는 반사형 45°-TN 셀[9, 1 이과 반사형 VA 셀[11]에서 화소 잔극 크기를 15伽1으로 하며, 이 때 초기에 형성되어진 액정의 프리틸巨감 (%)에 따라서 한 화소 전극에는 전압을 인가하고인접한 다른 화소 전극들에는 전압을 인가하지 않았을 때 이 화소 전극과 화소 전극 사이에서 발생하는 프린즈 전기장에 의해서 화소 전극사이에서 disclination line이 발생하는지에 대해서 컴퓨터 시뮬레 이션을 하였다. 뿐만 아니 라 해 상도를 UXGA 로 높여서도 동일한 컴퓨日 시뮬레이션을 하였匸".
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