최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체, v.40 no.8 = no.314, 2003년, pp.572 - 579
김남길 (아주대학교 전자공학부) , 김상배 (아주대학교 전자공학부)
By comparing the measured optical reflection spectra with calculated one by the transfer-matrix method (TMM) in epitaxial wafers for vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs), we have estimated the systematic thickness errors in a simple and nondestructive way. The experimentally confirmed te...
M. K. Hibbs-Brenner, R. A. Morgan, R. A. Walterson, J. A. Lehman, E. L. Kalweit, Bounnak, T. Marta, and R. Gieske, 'Performance, uniformity, and yield of 850-nm VCSEL's deposited by MOVPE,' IEEE Photon. Technol. Lett., vol. 8, no. 1, pp. 7-9, Jan. 1995
H. Q. Hall, H. C. Chui, K. D. Choquette, B. E. Harnrrons, W. G.Breiland, and K. M. Geib, 'Highly uniform and reproducible vertical-cavity surface-emitting lasers grown by meta-lorganic vaper phase epitaxy with in situ reflectorretrv,' IEEE Photon. Technol. Lett., vol. 8, no. 10, pp. 1285-1287, Oct. 1995
J. L. Jewell, Y. H. Lee, S. L. McCall, J.P. Harbison, and L. T. Florez 'High-finesse (Al,Ga)As interference filters grown by molecular beam epitaxy,' J. Appl. Phys., vol. 53., no. 8, pp. 640-642, Aug. 1988
J. D. Walker, K. Malloy, S. Wang, and J. S. Smith, 'Precision AlGaAs Bragg reflectors fabricated by phase-locked epitaxy,' Appl. Phys. Lett., Vol. 56. no. 18, pp. 2493-2495, June 1990
C. Lei, T. J. Rogers, D. G. Deppe, and B. G. Streetman 'InGaAs-GaAs quantum well verticalcavity surface-emitting lasers using molecular beam epitaxial regrowth,' J. Appl. Phys., vol. 58., no. 11, pp. 1122-1124, Mar. 1991
김상배, '집적형 1/4 위상천이 회절격자 필터의 제작성 연구' 전자공학회 논문지 제 36권 D편, 제6호, pp. 52-60, 1999년 6월
M.D. Sturge, 'Optical Absorption of Gallium Arsenide between 0.6 and 2.75 eV.' Phys. Rev., vol. 127, no. 3, pp. 768-773, Aug. 1962
Y. Kokubo and I. Ohta, 'Refractive index as a function of photon energy for AlGaAs between 1.2 and 1.8eV,' J. Appl. Phys., vol. 81, no. 4, pp. 2042-2043, Feb. 1997
H C. Casey, Jr., D. D. Sell, and M B. Panish, 'Refractive index of AlXGa1- X As between 1.2 and 1.8eV,' Appl. Phys, Lett., vol. 24. no. 2, pp. 63-65, Jan. 1974
J. W. Han, J. H. Cha, and S. B. Kim, 'Effects of the random fluctuation in grating period on the characteristics of quarter-wavelength-shifted DFB Lasers,' IEEE Photon. Technol. Lett., vol. 11, no. 12, pp. 1539-1571, Dec. 1999
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.