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문제 정의
- 그러나 아직 i-Ii『를 이용한 전류차단층의 다양한 구조에 대해서 전류차단층의 구조가 누설전류 및 변조대역폭 에 미치는 영향에 대해서 체계적으로 보고된 바가 거의 없다. 본 논문에서는 누설전류의 감소와 대역폭 확보의 측면에서, 동일한 활성층 구조에 대해 'in, , 'pnin', , inin'의 세가지 서로 다른 전류차단층 구조를 갖는 반도체 레이저를 제작하였다. 이 들에 대해 누설전류 및 고속변조특성을 조사하여, 정적 및 동 적특성에 가장 우수한 전류차단 구조를 밝혔다.
- 직접 변조형 반도체 레이저 다이오드의 소신호 응답 대역폭 은 활성 영역에 의해 결정되지만, 전류차단구조에서 발생하는 누설전류와 기생성분에 의해서 크게 제한된다. 이에 기생성분 과 누설 전류를 최소화하여 정적/동적 성능에서 동시에 만족되 는, 효과적인 전류차단구조를 제안하였다. 정적 특성 향상을 위 하여서는 'in' -> 'inin'-> 'pnin형의 차단구조가 더 유리하게 되 고, 동적 특성 향상을 위하여서는 'pnin' ->'inin' -> 'in'으로 더 유리하게 된다.
가설 설정
- . H価: 비율 방정식으로부터 유도되는 진성영역의 소신호 응답厕 . HRC(f): 기생 직렬 저항과 차단 구조에서의 병렬 저항 및 정 전용량(3)
- 식(5)에서 사용된 상수, fn r, fRC, fscH는 각각, 공진 주파수, 감쇄 상수, 기생 주파수(parasitic roll-off frequency), 케리어 전 달 주파수(transport roll-off frequency)이고, detector에 의한 손실을 X로 표시하였다. HschG)은 온도에 대해서는 민감하 게 반응하지만J시 &(/)과 함께, 주입되는 전류에 따라서 변하 지 않는다는 가정을 하고, 의 경우는 주입 전류에 따라서 RC 효과가 변하기는 하지만 그 정도가 작다고 가정하였다. 이러한 가정을 인정할 때, 바이어스에 따라 다르게 나타나는 소 신호 응답의 차를 통해 临侦), HSCH(f), Hd(/)항이 모두 제거 될 수 있으므로, 이를 통해 진성 응답을 얻을 수 있다.
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