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IMT-2000 단말기용 InGaP/GaAs HBT MMIC 전력증폭기 설계 및 제작
Design & Fabrication of an InGaP/GaAs HBT MMIC Power Amplifier for IMT-2000 Handsets 원문보기

한국통신학회논문지. The journal of Korea Information and Communications Society. 무선통신, v.28 no.11A, 2003년, pp.902 - 911  

채규성 (경희대학교 일반대학원 전파공학과) ,  김성일 (전자통신연구원 고속소자연구실) ,  이경호 (전자통신연구원 고속소자연구실) ,  김창우 (경희대학교 일반대학원 전파공학과)

초록
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에미터 면적이 2.0${\times}$20 $\mu\textrm{m}$$^2$인 단위 InGaP/GaAs HBT power cell을 이용하여 IMT-2000 단말기용 MMIC 2단 전력 증폭기를 설계 및 제작하였다. 온도 변화에 따른 전력증폭기의 RF 특성 변화를 보상시킬 수 있으며, 외부 조절 전압으로 대기전류를 줄일 수 있는 능동 바이어스 회로를 채택하였다. HBT의 실측정 S 파라미터와의 fitting을 통하여 비선형 등가 회로 파라미터를 추출하였고, load-pull 시뮬레이션으로 최대 출력 정합 임피던스를 결정하였다. 제작 및 측정 결과, MMIC 2단 전력증폭기는 on-wafer 측정에서 23 ㏈의 전력 이득과 28.4 ㏈m의 출력 전력( $P_{1-}$㏈/) 및 31%의 전력 부가 효율을 얻었으며, FR-4 기판상에 off-chip 출력정합회로를 구현한 COB 측정에서 22.3 ㏈의 전력이득과 26 ㏈m의 출력전력 및 28%의 전력부가효율을 얻었으며, -40 ㏈c의 ACPR 특성을 얻었다..

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

Using InGaP/GaAs HBT power cells with a 2.0${\times}$20$\mu\textrm{m}$$^2$ emitter area of a unit HBT, a two stage MMIC power amplifier has been developed for IMT-2000 handsets. An active-bias circuit has been used for temperature compensation and reduction in the id...

주제어

#MMIC   #IMT-2000   #Power Amplifier   #HBT  

참고문헌 (9)

  1. Lawrence E. Larson, RF MD MICROWAVE CIRCUIT DESIGN FOR WIRELESS COMMUNICATION, Artech House Publishers, 1996 

  2. T. B Nishimura et al., 'A 50% efficiency InGaP/GaAs HBT power amplifier module for 1.95 GHz wide-band CDMA handsets,' IEEE RFIC Symp. Dig., pp 31-34, 2001 

  3. S. Zhang et al., 'E- PHEMT, single supply, high efficient power amplifier for GSM and DCS applications,' IEEE MTT-S Int. Micrwave Symp. Dig., pp. gn-930, 2001 

  4. Gray Hau et al, 'High Efficiency, Wide Dynamic Range Variable Gain and Power Amplifier MMICs for Wide-Band CDMA Handsets,' IEEE MICROWAVE AND WIRELESS COMPONENIS LEITERS, VOL.11, NO. 1, pp. 13-15, JANUARY 2001 

    상세보기 crossref

  5. Ville Vintola et al, 'VARIABLE GAIN POWER AMPLIFIER FOR MOBIlE WCDMA APPliCATIONS,' IEEE MTI'-S Digest, pp919-922, 2001 

  6. IMT-2000 단말기용 전력 증폭기 개발 사양서, ETRI, 2000 

  7. P.M Asbeck et al., 'Heterojunction Bipolar Transistors for microwave and millimeter-wave integrated circuits,' IEEE Trans. Electron Devices, vol. 34, NO. 12, pp. 2571-2577, Dec. 1987 

    상세보기 crossref

  8. Fazal Ali et al. HEMTs and HBTs : Devices, Fabrication, and Circuits, Artech House, 1991 

  9. Guillermo Gonzalez, MICROWAVE 'TRANSISTOR AMPLIFIER Analysis and Design, Prentice Hall, 1997 

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