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논문 상세정보

Single-Electron Pass-Transistor Logic with Multiple Tunnel Junctions and Its Hybrid Circuit with MOSFETs

ETRI journal v.26 no.6 , 2004년, pp.669 - 672  
Abstract

To improve the operation error caused by the thermal fluctuation of electrons, we propose a novel single-electron pass-transistor logic circuit employing a multiple-tunnel junction (MTJ) scheme and modulate a parameters of an MTJ single-electron tunneling device (SETD) such as the number of tunnel junctions, tunnel resistance, and voltage gain. The operation of a 3-MTJ inverter circuit is simulated at 15 K with parameters $C_g=C_T=C_{clk}=1\;aF,\;R_T=5\;M{\Omega},\;V_{clk}=40\;mV$, and $V_{in}=20\;mV$. Using the SETD/MOSFET hybrid circuit, the charge state output of the proposed MTJ-SETD logic is successfully translated to the voltage state logic.

참고문헌 (8)

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