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제안 방법
- 5번의 성장을 동하여 PBH구조를 갖는 파장 가변 BT-SGDBR-LD# 제작하고 특성을 조사하였다. 도파로 영역과 active 영역을 butt-coupling 방법으로 집적하여 높은 광출력 특성을 나타나도록 유도하여 연속전류를 인가 했을 때, 광출력이 100 mA에서 12.
- BT영역을 성장한 후 1.3 Q InGaAsP 도파로층에 laser holography 방법을 사용하여 sampled grating을 형성하였다. 이때 grating 주기 (Zo)는 240 nm, grating burst 길 이 (Zi)는 6.
- 위상제어 영역에는 전류를 인가하지 않은 상태에서 활싱층에 120 mA 의 전류를 인가하고, DBR영역의 전류를 50 mA까지 인가하면서 파장 가변 특성을 조사해 보았다. 전면 반사로부터 기인한 comb reflectivity가 7개, 리고, 후면 반사로부터 기은]한 comb reflectivity7]- 7개로 동일하게 존재함을 알 수 있으며 이것으로부터 파장가변 구간은 31 nm의 파장가변 구간 특성을 나타내었다.
- 제작된 BT-SGDBR-LD의 전기적, 광학적 특성을 조사하였다. CW로 구동시켰을 경우 광출력-전류-전압 특성을 그림 4(a)에 나타내었다.
대상 데이터
- 이때 위상제어 영역과 전/후면 DBR 및 phase영역의 전류는 인가하지 않고. gain영역에 전류를 200 mA까지 인가하였다. 그림에서 알 수 있듯이 활성층에 전류를 100 mA를 인가하였을 경우 출력이 12.
- 또한 도파로 역할을 하는 층과 활성층 역할을 하는 층이 butt 결합을 통하여 한축으로 집적 되어있다. 활성 층 구조는 0.7 % 압축응력 을 가진 well과 0.35 % 인장응력을 가진 barrier로 된 응력완화 나중양자우물 활성층을 사용하였다. BT 결합은 활성층만 성장된 에피 웨이퍼를 건식 식각 방법으로 인정한 부분의 활성층만 남겨둔 후 선택 습식 식각 방법으로 에 칭하여 MOCVD 재 성 장으로 InGaAsP (A = 1.
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