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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.17 no.2, 2004년, pp.150 - 155
이근우 (수원대학교 전자재료공학과) , 박수진 (수원대학교 전자재료공학과) , 유정주 (수원대학교 전자재료공학과) , 권영호 (수원대학교 전자재료공학과) , 김주연 (한양대학교 재료공학부) , 전형탁 (한양대학교 재료공학부) , 배규식 (수원대학교 전자재료공학과)
This study attempts to form a TiN barrier layer against Cu diffusion by the easier and more convenient method. In this new approach, Ti was sputter-deposited, and nitrided by heat-treating in the NH
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