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초록
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UV-나노임프린팅 (Ultraviolet-Nanoimprinting Lithography:UV-NIL) 공정 기술은 수십 나노에서 수 나노미터 크기의 구조물을 적은 비용으로 대량생산 할 수 있다는 장점을 가지고 있는 기술로 최근 전세계적으로 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 반도체 공정 중 마스크 제작 공정을 이용하여 나노패턴을 가진 5${\times}$5${\times}$0.09 인치 크기의 수정스탬프(quartz stamp)를 제작하였고, 임프린팅 (imprinting)시에 레지스트(resist)와 스탬프(stamp) 사이에서 발생하는 점착현상(adhesion)을 방지하고자 그 표면에 Fluoroalkanesilane(FAS) 표면처리를 하였다. 웨이퍼의 평탄도를 개선하고 친수(hydrophilic) 상태의 표면을 만들기 위해 그 표면에 평탄화층을 스핀코팅하였고, 1 nl의 분해능을 가진 디스펜서(dispenser)를 이용하여 레지스트 액적을 도포하였다. 스템프 상의 패턴과 레지스트에 임프린트된 패턴은 SEM, AFM 등을 이용하여 측정하였으며, EVG620-NIL 장비를 이용한 임프린팅 실험에서 370 nm - 1 um 크기의 다양한 패턴을 가진 스탬프의 패턴들이 정확하게 레지스트에 전사됨을 확인하였다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Ultraviolet-nanoimprint lithography (UV-NIL) is a promising method for cost-effectively defining nanoscale structures at room temperature and low pressure. A 5${\times}$5${\times}$0.09 in. quartz stamp is fabricated using the etch process in which a Cr film was employed as a ha...

주제어

참고문헌 (8)

  1. S. Y. Chou, P. R. Krauss, and P. J. Renstrom, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 4129 (1996) 

  2. S.V. Sreenivasan, in ASME International Conference on Integrated Nanosystems, Berkeley, CA, September 18-20, 2002 

  3. J. Haisma, M. Verheijen, and K. Heuvel, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 4124 (1996) 

  4. T. C. Bailey, D. J. Resnick, D. Mancini, K.J. Nordquist, W. J. Dauksher, E. Ainley, A. Talin, K. Gehoski, J. H. Baker, B.J. Choi, S. Johnson, M. Colburn, M. Meissl, S. V. Sreenivasan, J. G. Ekerdt, and C.G. Willson, Microelectronics Eng. 61-62, 461 (2002) 

  5. J. J. Senkevich C. J.Mitchell G. R. Yang and T. M. Lu, Langmuir 18, 1587 (2002) 

  6. R. D. Peters, P. F. Nealey, J. N. Crain, and F. J. Jimpel, Langmuir 18, 1250 (2002) 

  7. T. C. Bailey, B. J. Choi, M. Colburn, M. Meissl, S. Shaya, J. G. Ekerdt, S. V. Sreenivasan, and C. G. Willson, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 3572 (2000) 

  8. M. Schaepkens and G. S. Oehrlein, Applied Physics Letters 72, 1293 (1998) 

저자의 다른 논문 :

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