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문제 정의
- AlGaAs/GaAs HBT의 열저항에 대한 새로운 모델링을 방법을 제시했다. 제시되 열 저항 계산방법은 기존의 방법과는 달리 전류원 모델 파라메터 로부터 직접 계산되었다.
- 다음으로 베이스 전류를 고정시킨 상태에서 소 자의 전력 소비를 변화시킬 때 얻어지는 정보에 대해 알아본다. 위의 식 (1)의 좌변을 상수로 둔 다음 내부 전력 소비 (Pd)에 대해 미 분하면 다음과 같은 관계식이 얻어진다.
- 우선 베이스 전류를 고정시킨 상태에서 외부온 도를 변화시킬 때 얻어지는 정보에 대해 알아본다. 위의 식 (1)의 좌변을 상수로 둔 다음 외부온도 (1\)에 대해 미분하면 다음과 같은 관계식이 얼어 진다.
- 이 논문에서는 베이스-에미터 접합부 전압이 가지는 온도특성을 이용하여 열 저항을 구해보고자 한다. 열 저항을 구하기 위해 그림 1의 등가회로를 사용한다.
- 이 논문은 열 저항(Rth)에 대한 모델 파라메터 를 추출하는 방법에 관해 기술한 것이다. 이 논문 에서는[4]의 전류원 모델을 사용하였다.
- 전류원 방정식으로부터 열 저항을 찾아내는 새로운 방법을 제시하려고 한다. 이를 위해 우선 위의 식 (1)의 log 값을 취하면 다음과 같이 된다.
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