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유전율 이방성이 음인 액정을 이용한 Fringe-field Switching Twisted Hematic 모드의 전기광학 특성 연구
Study on Electro-optic Characteristics of Fringe-field Switching Twisted Nematic Mode using a Liquid Crystal with Negative Dielectric Anisotropy 원문보기

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.17 no.5, 2004년, pp.530 - 535  

송일섭 (전북대학교 신소재공학부) ,  신성식 (전북대학교 신소재공학) ,  이종문 (전북대학교 신소재공학) ,  이승희 (전북대학교 신소재공학부)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

We have studied 90$^{\circ}$ twisted nematic mode switching by fringe electric field(F-TN mode) using a liquid crystal (LC) with negative dielectric anisotropy. In the device, two polarizers are parallel each other, electrodes exist only on bottom substrate, and one of rubbing direction i...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 논문에서는 -LC을 사용하여 TN을 fringe 전기장으로 구동하는 F-TN 모드의 전기광학 특성을연구하였다. F-TN 모드는 TN 모드나 FFS 모드에상응하는 투과율을 나타낸다.
  • 본 본문에서는 이러한 문제점을 해결하기 위해 TN을 fringe 전기장으로 구동하는 F-TN 모드를 연구하였다[10丄 특히 유전율 이방성이 음인 액정 (-LC)은 이용한 FTN 모拦의 동작 원리 및 전기 광학 특성을 시뮬레이션을 통해 연구하였다.

가설 설정

  • 5. Iso- luminance of (a) the TN mode and (b) the F TN mode when the trans -mittance is 50 %.
  • 6. Iso-luminance contour of (a) the TN mode and (b) the F TN mode when the transmittance is 100 %.
  • 6. Iso-luminance contour of (a) the TN mode and (b) the F TN mode when the transmittance is 100 %.
  • 액정 분자의 pretilt 각을 2°로 하였고 설! 갭 )은 6 剛로 하였다. 여기서액정분자들의 표면 배향력은 strong 로anchoring energy 로 가정하였다. 액성의 은 550nm 에서 0.
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참고문헌 (5)

  1. Schadt, M., Helfrich, W.. VOLTAGE-DEPENDENT OPTICAL ACTIVITY OF A TWISTED NEMATIC LIQUID CRYSTAL. Applied physics letters, vol.18, no.4, 127-128.

  2. 10.1143/JJAP.36.2116 

  3. 10.1143/JJAP.36.6798 

  4. Hong, Seung Ho, Park, In Cheol, Kim, Hyang Yul, Lee, Seung Hee. Electro-Optic Characteristic of Fringe-Field Switching Mode Depending on Rubbing Direction. Japanese journal of applied physics. Part 2, Letters, vol.39, no.6, L527-.

  5. Lien, A.. Extended Jones matrix representation for the twisted nematic liquid-crystal display at oblique incidence. Applied physics letters, vol.57, no.26, 2767-2769.

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