최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기한국해양정보통신학회논문지 = The journal of the Korea Institute of Maritime Information & Communication Sciences, v.8 no.7, 2004년, pp.1448 - 1452
In this paper, a photodiode capable of obtaining a sufficient photo/ dark current ratio at both a forward bias state and a reverse bias state is proposed. The photodiode includes a glass substrate, an Cr thin film formed as a lower electrode over the glass substrate, Cr silicide thin film(∼l00
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
Chang W. Hur, ' Method of Making ThinFilm Transistors', United States Patent,Patent No.5,306,653, Apr. 1994
B. Park, Process integration of a-Si:HSchottky diode and thin film transistor forlow energy x-ray imaging applications, Mat.Res. Soc. Symp. A, April 13-17, 1998
허창우, 이문기, 김봉열,'강유전성 PbTi03 박막의 형성 및 게면특성', 대한전자공학회 논문지, 26권 7호, pp.83-89, 1989
K. Aflatooni, a-Si:H Schottky diode directdetection pixel for large area x-ray imaging, IEEE IEDM, December 7-10, Washington,D.C., 1997
윤재석,허창우, '게이트 산화막에 따른n-MOSFET 의 금속 플라즈마 피해', 한국해양정보통신학회 논문지 vo1.3,No.2, pp.471-475,1999
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.