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정류성 접합에 의한 광다이오드의 특성 개선
The Characteristic Improvement of Photodiode by Schottky Contact 원문보기

한국해양정보통신학회논문지 = The journal of the Korea Institute of Maritime Information & Communication Sciences, v.8 no.7, 2004년, pp.1448 - 1452  

허창우 (목원대학교 정보전자영상공학부)

초록
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비정질실리콘은 빛을 받으면 자유전자와 자유정공이 무수히 발생하여 전류 또는 전압의 형태로 나타나는 광전변환 재료이다. 이를 광다이오드로 사용하기 위해서는 금속 박막(Thin film)과 결합하여 쇼트키 다이오드로 만드는 기술이 효과적이다. 본 연구에서는 광다이오드의 신뢰성 및 특성을 개선하기 위하여 크롬실리사이드를 기존의 방식과 달리 하부 전극으로 크롬금속 박막을 증착한 후 그 위에 사일렌(SiH4)가스를 사용해서 PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 진공 증착장비로 최적의 비정질실리콘 박막을 얇게 (100$\AA$) 만들어 열처리를 통하여 크롬실리사이드 박막을 형성 한 후 광다이오드 소자를 제조한다. 이렇게 형성된 크롬실리사이드 광 다이오드를 사용하여 암전류와 광전류를 측정찬 결과 기존의 방식보다 우수한 성능이 나타났고, 공정도 단순화 할 수 있었으며 그리고 신뢰성도 개선되었다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this paper, a photodiode capable of obtaining a sufficient photo/ dark current ratio at both a forward bias state and a reverse bias state is proposed. The photodiode includes a glass substrate, an Cr thin film formed as a lower electrode over the glass substrate, Cr silicide thin film(∼l00$...

주제어

#a-Si:H   #schottky barrier   #Cr silicide thin film   #annealing   #AES(Auger Electron Spectroscopy)  

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 논문에서는 수소화된 비정질실리콘 광다이오드에 크롬실리사이드를 기존의 방식과 달리 하부전극으로 크롬금속 박막을 증착한 후 그 위에 사일렌(SiH4)가스를 사용해서 PECVD진공 증착장비로 최적의 비정질실리콘 박막을 얇게(100A) 만들어 열처리를 통하여 크롬실리사이드 박막을 형성 한후 최적화하여 최상의 광검출기를 제조하고자 한다.
  • 본 연구에서는 약 100A 정도의 a-Si:H 박막을 증착하여 어닐링공정을 통하여 크롬 박막과 100Å 이하의 얇은 박막을 만들어 확실한 쇼트키특성을 이루고자 하였다.
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참고문헌 (6)

  1. Chang W. Hur, ' Method of Making ThinFilm Transistors', United States Patent,Patent No.5,306,653, Apr. 1994 

  2. B. Park, Process integration of a-Si:HSchottky diode and thin film transistor forlow energy x-ray imaging applications, Mat.Res. Soc. Symp. A, April 13-17, 1998 

  3. 허창우, 이문기, 김봉열,'강유전성 PbTi03 박막의 형성 및 게면특성', 대한전자공학회 논문지, 26권 7호, pp.83-89, 1989 

  4. K. Aflatooni, a-Si:H Schottky diode directdetection pixel for large area x-ray imaging, IEEE IEDM, December 7-10, Washington,D.C., 1997 

  5. 윤재석,허창우, '게이트 산화막에 따른n-MOSFET 의 금속 플라즈마 피해', 한국해양정보통신학회 논문지 vo1.3,No.2, pp.471-475,1999 

  6. 이규정,류광렬,허창우, '산화물 반도체 박막 가스센서 어레이의 제조 및 수율 개선', 한국해양정보통신학회 논문지 vo1.6,No.2, pp.315-322, 2002 

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