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광전도안테나에 의한 광대역테라헤르츠파의 발생특성
Generation of Ultra-Wideband Terahertz Pulse by Photoconductive Antenna 원문보기

전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문, v.54 no.6, 2005년, pp.286 - 292  

진윤식 (한국전기연구원 전기물리그룹) ,  김근주 (한국전기연구원 전기물리그룹) ,  손채화 (한국전기연구원 전기물리그룹) ,  정순신 (한국전기연구원 전기물리그룹) ,  김지현 (한국전기연구원 전기물리그룹) ,  전석기 (한국전기연구원 전기물리그룹)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Terahertz wave is a kind of electromagnetic radiation whose frequency lies in 0.1THz $\~$10THz range. In this paper, generation and detection characteristics of terahertz (THz) radiation by photoconductive antenna (PCA) method has been described. Using modern integrated circuit techniques...

주제어

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문제 정의

  • 일반적인 광전도 안테나 방식의 동작특성인 안테나 전극에서의 바이어스 전압, 여기용 펨토 초 레이저의 출력에 따른 테라헤르츠파의 신호 변화뿐만 아니라 펌프 레이저 광의 파장 변화에 따른 테라헤르츠(이하, 경우에 따라서 "THz"로 줄여서 표현함) 신호의 응답에 대해 서도 조사하였다. 또한 발생되고 계측된 전자파의 파형 및 주파수의 검증을 위하여 대기 중의 수분에 의한 흡수 특성을 조사하였고, 이미징 시스템의 적용 가능성을 위한 기초실험 으로서 살아있는 클로버 잎의 T-Ray 영상 예를 보고한다.
  • 본 논문에서는 펨토초 티타늄 사파이어(Ti:Sapphire) 레이 저로 여기한 광전도 안테나를 이용한 테라헤르츠파의 발생 및 계측에 대해 기술한다. 일반적인 광전도 안테나 방식의 동작특성인 안테나 전극에서의 바이어스 전압, 여기용 펨토 초 레이저의 출력에 따른 테라헤르츠파의 신호 변화뿐만 아니라 펌프 레이저 광의 파장 변화에 따른 테라헤르츠(이하, 경우에 따라서 "THz"로 줄여서 표현함) 신호의 응답에 대해 서도 조사하였다.
  • 광전도 안테나 방식의 THz 발생에서 THz파의 출력은 안 테나 자체의 특성과 여기용 레이저 광의 특성에 의하여 결정 된다. 본 연구에서는 안테나 바이어스 전압, 여기광 강도와 여기파장에 대한 THz 파의 전계강도의 의존성을 조사하였다. 본 실험에서 사용한 동면의 스트립 라인 안테나로부터의 THz 전계의 피크치는 다음 식 (4)와 같이 주어진다[6]

가설 설정

  • 28 THz 로 계산된다. 이 주파수는 그림 4 (b)의 주파수 스펙트럼에서 최대 값을 가지는 주파수와 거의 일치함 을 알 수 있다.
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참고문헌 (11)

  1. N. Katzenenbogen and D. Grischkowsky, 'An Ultra-Wideband Optoelectronic THz beam System', Ultra-Wideband, Shrt-Pulse Electromagnetics, Ed. H. Bertoni et al., Plenum Press, pp. 7-20, 1993 

  2. L. Duvillaret, F. Garet, and J. J. Coutaz : 'A Reliable Method for Extraction of Material Parameters in Terahertz Time-Domain Spectroscopy,' IEEE J. Selected Topics in Quantum Electron., 2, pp.739-746, 1996 

  3. D. M. Mittleman, M. Gupta, R. Neelamani, R. G. Baraniuk, J. V. Rudd, and M. Koch : 'Recent advances in Terahertz imaging', Appl. Phys. B 68, pp. 1085-1094, 1999 

  4. S. Gupta, M.Y. Frankel, J. A. Valdmanis, J. F. itaker, G.A.Mourou, F. W. Smith and A.R. Calawa : 'Subpicosecond carrier lifetimein GaAs grown by molecular beam epitaxy at low temperatures', Appl. Phys. Lett. 59, pp. 3276-3278, 1991 

  5. D.C.Look : 'Molecular beam epitaxial GaAs grown at low temperature', Thin Solid Films 231, pp. 61-73, 1993 

  6. D. Dragoman and M. Dragoman : 'Terahertz field and applications', Progress in Quantum Electronics 28, pp. 1-66, 2002 

  7. J. V. Rudd and D.M.Mittleman, 'Influence of substrate-lens design in terahertz time-domain spectroscopy', J. Opt. Soc. Am. B. vol. 19 pp.319-329, 2002 

  8. M.Tany, S.Matsuura, K.Sakai, and S.Nakashima : 'Emission characteristics of photoconductive antennas based on low-temperature-grown GaAs and semi-insulating GaAs', Appl. Optics 36, pp. 853-7859, 1997 

  9. Stephen E. Ralph and D. Grischkowsky, 'Trap-enhanced electric fields in semi-insulators : The role of electrical and optical carrier injection', Appl. Phys. Lett. 59, pp.1972-1974,1991 

  10. P. K. Benicewicz, J. P. Roberts, and A.J. Taylor : 'Scaling of terahertz radiation from large-aperture biased photoconductors', J Opt. Soc. Am., B, 11, pp. 2533- 2546, 1994 

  11. M.V.Exter, C. Fattinger and D. Grischkowsky, 'Terahertz time-domain spectroscopy of water vapor', Opt. Lett. 14, pp. 1128-1130, 1989 

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