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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.18 no.7, 2005년, pp.667 - 674
하종봉 (충북대학교 반도체공학과) , 나기열 (충북대학교 반도체공학과) , 조경록 (충북대학교 반도체공학과) , 김영석 (충북대학교 반도체공학과)
In this paper the gate overlap length of the LDMOST is optimized for obtaining longer device lifetime. The LDMOSI device with drift region is fabricated using the
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